야룬 모스페트 N-CH TO247 30A 600V YR30N60 30N60 IXGT30N60TO220 IXGT30N60C2
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주요 속성
핵심 산업 사양
모델 번호
Null
유형
MOSFET
유명 상표
Yarun
포장 유형
생각 구멍
기타 속성
장착 유형
널
설명
널
원래 장소
Jiangsu, China
패키지/케이스
널
유형
널
작용 온도
널
시리즈
널
D/ C
널
신청
범용
공급 유형
소매점, ODM, 원래 제조업체, 기관, 기타
상호 참조
널
미디어 가능
사진, 기타, EDA CAD 모델, 데이터 시트
品名
야룬
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
널
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
널
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
널
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
널
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
널
전원 최대
널
주파수-전환
널
작동 온도
Null
마운트 유형
표면 마운트
저항 (R1)
널
저항 이미터 (R2)
널
FET 유형
널
FET 특징
표준
드레인 근원 전압 (Vdss)
널
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
널
Rds (Max) @ Id, Vgs
널
Vgs (th) (최대) @ Id
널
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
널
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
널
주파수
널
현재 등급 (암페어)
널
잡음
널
전원 출력
널
전압-정격
널
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
널
Vgs (최대)
널
IGBT 유형
널
구성
삼상 인버터
Vce () (최대) @ Vge, Ic
널
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
널
입력
널
NTC 서미스터
널
전압 고장 (V (BR) GSS)
널
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
널
현재 하수구 (Id)-Max
널
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
널
저항 RDS (On)
널
전압
널
전압-출력
널
전압 오프셋 (Vt)
널
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
널
전류 밸리 (Iv)
널
전류-피크
널
응용프로그램
널
트랜지스터 유형
널
케이스에 정션 (DC)
1.3 ℃/W
Rth(j-a)
60 ℃/W
피크 게이트 전압
5V
VDRM/VRRM
600V
Dit/dt
50A/us
피크 게이트 전류
2A
IT(AV)
8A
IT(RMS)
12A
ITSM
100-110A
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단일 품목
단일 패키지 크기:
52X11X9 cm
단일 총 중량:
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