SY 칩 IPW65R065C7 전자 부품 이산 반도체 트랜지스터 MOSFET IPW65R065C7

Name: SY 칩 IPW65R065C7 전자 부품 이산 반도체 트랜지스터 MOSFET IPW65R065C7
Brand: Shenzhen Sy Chips Technology Co., Ltd.
SKU: 1601153079432
Price: 0.45 USD
Availability: InStock

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Shenzhen Sy Chips Technology Co., Ltd.

복합 전문 공급업체 6 yrs

SY 칩 IPW65R065C7 전자 부품 이산 반도체 트랜지스터 MOSFET IPW65R065C7

주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호

IPW65R065C7

유형

MOSFET

유명 상표

original

포장 유형

TO-247-3

기타 속성

장착 유형

standard

설명

standard

원래 장소

Original

패키지/케이스

TO-247-3

유형

작용 온도

시리즈

D/ C

Latest

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상호 참조

品名

IPW65R065C7

전류 콜렉터 (Ic) (최대)

전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)

Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic

전류 콜렉터 컷오프 (최대)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce

전원 최대

주파수-전환

작동 온도

- 55 C to + 150 C

마운트 유형

구멍

저항 (R1)

저항 이미터 (R2)

FET 유형

FET 특징

드레인 근원 전압 (Vdss)

현재-드레인 (Id) @ 25 °C

Rds (Max) @ Id, Vgs

Vgs (th) (최대) @ Id

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

주파수

현재 등급 (암페어)

잡음

전원 출력

전압-정격

드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)

Vgs (최대)

3 V

IGBT 유형

구성

Vce () (최대) @ Vge, Ic

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

입력

NTC 서미스터

전압 고장 (V (BR) GSS)

전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

33 A

현재 하수구 (Id)-Max

전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id

저항 RDS (On)

전압

전압-출력

전압 오프셋 (Vt)

전류 게이트 양극 누설 (Igao)

전류 밸리 (Iv)

전류-피크

응용프로그램

트랜지스터 유형

Transistor Polarity

N-Channel

Condition

Brand Newand Original

Quality

100% Original 100% Brand

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판매 단위:

단일 품목

단일 패키지 크기:

20X20X5 cm

단일 총 중량:

0.500 kg

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