STD6N95K5 FET ST 오리지널, 이산 반도체/MOSFET

Name: STD6N95K5 FET ST 오리지널, 이산 반도체/MOSFET
Brand: Shenzhen Hongda Xinyuan Technology Co., Ltd.
SKU: 1601265443065
Price: 0.1 USD
Availability: InStock

아직 리뷰가 없습니다 15 판매

Shenzhen Hongda Xinyuan Technology Co., Ltd. 1 yr

주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호

STD6N95K5

유형

MOSFET

유명 상표

포장 유형

표면 마운트

기타 속성

장착 유형

SMD

설명

MOSFET N-CH 950V 9A DPAK

원래 장소

Guangdong, China

패키지/케이스

TO-252

유형

작용 온도

-55 °C ~ 150 °C(TJ)

시리즈

SuperMESH5

D/ C

23 + 24 +

신청

공급 유형

소매점

品名

전류 콜렉터 (Ic) (최대)

전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)

Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic

전류 콜렉터 컷오프 (최대)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce

전원 최대

주파수-전환

작동 온도

마운트 유형

SMD

저항 (R1)

저항 이미터 (R2)

FET 유형

N 채널

FET 특징

드레인 근원 전압 (Vdss)

현재-드레인 (Id) @ 25 °C

Rds (Max) @ Id, Vgs

Vgs (th) (최대) @ Id

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

주파수

현재 등급 (암페어)

잡음

전원 출력

전압-정격

드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)

Vgs (최대)

IGBT 유형

구성

Vce () (최대) @ Vge, Ic

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

입력

NTC 서미스터

전압 고장 (V (BR) GSS)

전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

현재 하수구 (Id)-Max

전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id

저항 RDS (On)

전압

전압-출력

전압 오프셋 (Vt)

전류 게이트 양극 누설 (Igao)

전류 밸리 (Iv)

전류-피크

응용프로그램

트랜지스터 유형

STD6N95K5

지불

페이팔 \ TT \ 웨스턴 유니온 \ 무역 보증

패키지

원래 패키지

품질

100% 원래 100% 브랜드

보증

1 년

리드 타임

공급업체의 제품 설명

>= 1 개

₩147

옵션

총 옵션:

선택하기

배송

선택한 수량에 대해 배송 솔루션을 현재 사용할 수 없습니다

해당 제품에 대한 보장

안전 결제

Chovm.com에서 진행하는 모든 결제는 엄격한 SSL 암호화 및 PCI DSS 데이터 보호 프로토콜을 통해 보호됩니다

환불 정책 & Easy Return

배송 누락 및 결함이 있거나 손상된 제품에 대해 환불을 받고, 결함이 있는 상품을 무료로 현지 반품하세요

수량 (개)	1 - 10000	> 10000
예상 시간(일)	3	협의 예정