MOSFET 22N60 N-CH 600V 22A ~ 220 FCP22N60N

Name: MOSFET 22N60 N-CH 600V 22A ~ 220 FCP22N60N
Brand: Guofenglin Technology (shenzhen) Co., Ltd.
SKU: 1600847864877
Price: 0.5 USD
Availability: InStock

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Guofenglin Technology (shenzhen) Co., Ltd. 2 yrs

MOSFET 22N60 N-CH 600V 22A ~ 220 FCP22N60N

주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호

FCP22N60N

유형

MOSFET

유명 상표

Original Brand

포장 유형

생각 구멍

기타 속성

설명

스란 다드

원래 장소

Johor, Malaysia

패키지/케이스

TO-220-3

D/ C

공급 유형

원래 제조업체, ODM, 기관, 소매점

상호 참조

미디어 가능

데이터 시트, 사진

品名

MOSFET N-CH 600V 22A TO-220

전류 콜렉터 (Ic) (최대)

전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)

Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic

전류 콜렉터 컷오프 (최대)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce

전원 최대

주파수-전환

저항 (R1)

저항 이미터 (R2)

FET 유형

N-채널

드레인 근원 전압 (Vdss)

600V

현재-드레인 (Id) @ 25 °C

22A (Tc)

Rds (Max) @ Id, Vgs

165mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250uA, 4V @ 250uA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1950pF @ 100V

주파수

현재 등급 (암페어)

잡음

전원 출력

전압-정격

드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)

10V

Vgs (최대)

± 45V

IGBT 유형

Vce () (최대) @ Vge, Ic

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

입력

NTC 서미스터

전압 고장 (V (BR) GSS)

전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

현재 하수구 (Id)-Max

전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id

저항 RDS (On)

전압

전압-출력

전압 오프셋 (Vt)

전류 게이트 양극 누설 (Igao)

전류 밸리 (Iv)

전류-피크

응용프로그램

부품 번호

FCP22N60N

소스 전압에 배수

600V

현재 @ 25 ° C

22A (Tc)

게이트 충전 @ Vgs

45nC @ 10V

입력 용량 @ Vds

4V @ 250uA

전력 분산 (최대)

205W (Tc)

공급 업체 장치 패키지

TO-220-3

포장 및 배송

포장 세부정보

튜브

항구

Hongkong/Shenzhen

공급 능력

88000 개 per Day 스탠드 패킹

리드 타임

공급업체의 제품 설명

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