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MBRD660CTT4G MBRD660TG B660TG 660TG TO-252 트랜지스터

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주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
MBRD660CTT4G
유형
MOSFET
유명 상표
Original Brand

기타 속성

장착 유형
Surface mount
설명
MBRD660CTT4G
원래 장소
China
패키지/케이스
TO-252
신청
Common use
공급 유형
기관, 소매, Wholesaler
미디어 가능
데이터 시트, 사진
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
Standard
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
Standard
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
Standard
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
Standard
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
Standard
전원 최대
Standard
주파수-전환
Standard
작동 온도
Standard
저항 (R1)
Standard
저항 이미터 (R2)
Standard
FET 유형
Standard
드레인 근원 전압 (Vdss)
Standard
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
Standard
Rds (Max) @ Id, Vgs
Standard
Vgs (th) (최대) @ Id
Standard
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
Standard
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
Standard
주파수
Standard
현재 등급 (암페어)
Standard
잡음
Standard
Date Code
Newest
Condition
New and original
Supplier
Shenzhen Bixinda Technology Co., Ltd.
Lead Free Status
Lead free / RoHS Compliant
Delivery Time
Within 3 days
Payment
TT/Western union/Escrow/Paypal
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bxd-electronics
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DHL/UPS/TNT/FEDEX/POST

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