설명
MOSFET N-CH 250V 120A TO264
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
N/A
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
N/A
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
N/A
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
N/A
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
10V
Vce () (최대) @ Vge, Ic
N/A
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
N/A
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
N/A